與封裝膨脹系數（CTE）匹配的封裝基板

普通IC封裝及系統級封裝都需要套用到多種不同材質的原料。 這給設計者和芯片封裝代工廠都造成了很多嚴峻的挑戰，如不同材質造成的內部熱應力對生產良率以及產品壽命的影響。

AMP工藝是可以有效的減少封裝的這種特殊復雜性，其可以用作基板材料來減緩不同材料-芯片，金屬原件等之間的不同熱膨脹系數造成的應力。另外AMP是一種中等級別的互聯技術， 其可以達到線寬間距（L/S） 都是25微米，TMV 的寬深比達到1：10. 從這個角度來看，AMP 是可以作為FR-4基板的替代方案。作為再布線層（RDL）的制作方式， 用于扇出型晶圓級和扇出型板級封裝生產工藝中。（fo-WLP/ fo-PLP)

相對于傳統的封裝集成天線技術，AMP工藝擁有很多優勢：

1. 減少20%的封裝引腳，更小的過孔和孔焊盤
2. TMV 寬深比達1:10
3. 更好的CTE 匹配程度：減少芯片和銅層之間的CTE 不匹配
4. 嵌入式的導線，連接點，以及過孔焊點讓封裝整體外形統一。

活性模塑封裝(amp)僅需三步工藝就可在環氧模塑表面形成RF器件

1. 特殊開發的環氧模塑料（EMC）,一般是顆粒料或餅料。
2. 選擇性在EMC表面選擇性激光激活，挖槽或TMV鉆孔
3. 在EMC表面的激光激活部分，化學鍍金屬化。