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與封裝膨脹系數(CTE)匹配的封裝基板

AMP 技術可以直接使用環氧模塑料制作中等線寬/間距的封裝基板。從而緩解半導體芯片和封裝內其他銅器件之間由于膨脹系數不同造成的熱應力

AMP 工藝制作CTE匹配封裝基板

普通IC封裝及系統級封裝都需要套用到多種不同材質的原料。 這給設計者和芯片封裝代工廠都造成了很多嚴峻的挑戰,如不同材質造成的內部熱應力對生產良率以及產品壽命的影響。

AMP工藝是可以有效的減少封裝的這種特殊復雜性,其可以用作基板材料來減緩不同材料-芯片,金屬原件等之間的不同熱膨脹系數造成的應力。另外AMP是一種中等級別的互聯技術, 其可以達到線寬間距(L/S) 都是25微米,TMV 的寬深比達到1:10. 從這個角度來看,AMP 是可以作為FR-4基板的替代方案。作為再布線層(RDL)的制作方式, 用于扇出型晶圓級和扇出型板級封裝生產工藝中。(fo-WLP/ fo-PLP)

相對于傳統的封裝集成天線技術,AMP工藝擁有很多優勢:

  1. 減少20%的封裝引腳,更小的過孔和孔焊盤
  2. TMV 寬深比達1:10
  3. 更好的CTE 匹配程度:減少芯片和銅層之間的CTE 不匹配
  4. 嵌入式的導線,連接點,以及過孔焊點讓封裝整體外形統一。

活性模塑封裝(amp)僅需三步工藝就可在環氧模塑表面形成RF器件

  1. 特殊開發的環氧模塑料(EMC),一般是顆粒料或餅料。
  2. 選擇性在EMC表面選擇性激光激活,挖槽或TMV鉆孔
  3. 在EMC表面的激光激活部分,化學鍍金屬化。

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