氮化鎵陶瓷薄膜電路的激光直寫

由于這兩種材料的特性和加工參數相差甚遠，因此加工系統必須精準、柔性、靈活，才能快速干凈地完成處理，LPKF激光直寫系統ProtoLaser R4 基于這種需求應運而生，尤其適合新型特殊的材料的加工。該系統配備了LPKF皮秒激光器，能夠輕松完成表面圖形的精細直寫和基底材料的精密切割，是氮化鎵薄膜電路的完美加工工具。 由于皮秒激光加工幾乎沒有熱量，加工后的材料基本沒有熱損傷或燒蝕，所以系統能夠以柔性、精準的“冷加工”方式來切割和刻蝕所需的任何材料。

基于皮秒激光的這種特性，LPKF ProtoLaser R4將陶瓷基板切割和導電圖形蝕刻這兩個傳統工藝里獨立的加工步驟結合到一起，一個設備即可完成兩種材料的加工，并且整個加工過程無化學藥液、對材料無接觸，這種新工藝新設備已經在盧布爾雅那大學（斯洛文尼亞）進行可行性研究中完成了驗證，ProtoLaser R4首先對陶瓷基底進行精密切割，這個過程不會產生裂紋或應力，然后自動完成表面金屬層的圖形直寫（表面金屬層是金）。針對其他不同材料，該系統的激光功率和脈沖能量等參數會根據具體應用進行相應調整。

當然，這只是 LPKF ProtoLaser R4 的眾多應用方向之一，該系統不僅可以輕松加工特殊材料，也同樣適用于加工射頻電子，PTFE、雙面柔性 PCB 材料、玻璃基底薄金屬層等，加工效果同樣穩定可靠，精度極高。

了解更多請查閱. www.lpkf.com/protolaser-r4